TK31E60W,S1VX

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TK31E60W,S1VX概述

Mosfet n Ch 600V 30.8A To-220

通孔 N 通道 600 V 30.8A(Ta) 230W(Tc) TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TK31E60W,S1VX中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 230 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 3000pF @300VVds

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK31E60W,S1VX
型号: TK31E60W,S1VX
制造商: Toshiba 东芝
描述:Mosfet n Ch 600V 30.8A To-220

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