TK62N60W,S1VF概述
MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
N-Channel 600V 61.8A Ta 400W Tc Through Hole TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
贸泽:
MOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TK62N60W,S1VF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 33 mΩ
耗散功率 400 W
阈值电压 2.7V ~ 3.7V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 6500pF @300VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.94 mm
宽度 5.02 mm
高度 20.95 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买TK62N60W,S1VF