TK72E08N1,S1X参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TK72E08N1,S1X概述

MOSFET 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81NC

通孔 N 通道 72A（Ta） 192W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 80V 72A TO220

贸泽:
MOSFET 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81nC

Win Source:
MOSFET N CH 80V 72A TO-220

TK72E08N1,S1X中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.3 mΩ

耗散功率 192 W

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

输入电容Ciss 5500pF @40VVds

额定功率Max 192 W

耗散功率Max 192W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK72E08N1,S1X

型号： TK72E08N1,S1X

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET 80V N-Ch PWR FET 157A 192W 81NC