TK7P65W,RQ概述
Trans MOSFET N-CH 650V 6.8A 3Pin DPAK
N-Channel 650V 6.8A Ta 60W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
贸泽:
MOSFET Power MOSFET N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TK7P65W,RQ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 660 mΩ
耗散功率 60 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 490pF @300VVds
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买TK7P65W,RQ