TPWR8503NL,L1Q

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TPWR8503NL,L1Q概述

TPWR8503NL,L1Q 编带

N-Channel 30V 150A Tc 800mW Ta, 142W Tc Surface Mount 8-DSOP Advance


得捷:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP


立创商城:
N沟道 30V 150A


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 8-Pin DSOP


TPWR8503NL,L1Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 800mW Ta, 142W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 9.6 ns

输入电容Ciss 6900pF @15VVds

下降时间 15 ns

耗散功率Max 800mW Ta, 142W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DSOP-8

外形尺寸

封装 DSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPWR8503NL,L1Q
型号: TPWR8503NL,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:TPWR8503NL,L1Q 编带

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