TK40E10N1,S1X概述
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3Pin3+Tab TO-220
N-Channel 100V 90A Tc 126W Tc Through Hole TO-220
得捷:
MOSFET N CH 100V 90A TO220
贸泽:
MOSFET 40V N0Ch PWR FET 90A 126W 3000pF
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine
Win Source:
MOSFET N CH 100V 90A TO220
TK40E10N1,S1X中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 8.2 mΩ
耗散功率 126 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 3000pF @50VVds
额定功率Max 126 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 126W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
TK40E10N1,S1X引脚图与封装图 
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