TK55S10N1,LQ参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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TK55S10N1,LQ概述

TK55S10N1,LQ 编带

N-Channel 100V 55A Ta 157W Tc Surface Mount DPAK+

得捷:
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

立创商城:
N沟道 100V 55A

贸泽:
MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m maxVGS=10V DPAK

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

TK55S10N1,LQ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3280pF @10VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 157W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买TK55S10N1,LQ

型号： TK55S10N1,LQ

制造商： Toshiba 东芝

描述：TK55S10N1,LQ 编带