TK100E10N1,S1X参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK100E10N1,S1X概述

Trans MOSFET N-CH 100V 207A 3Pin TO-220

N-Channel 100V 100A Ta 255W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 207A 3-Pin TO-220

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

TK100E10N1,S1X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 255 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 8800pF @50VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 255W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TK100E10N1,S1X引脚图与封装图

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型号： TK100E10N1,S1X

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 207A 3Pin TO-220