TK17E65W,S1X

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TK17E65W,S1X概述

Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3Pin TO-220

N-Channel 650V 17.3A Ta 165W Tc Through Hole TO-220


得捷:
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3-Pin TO-220


TK17E65W,S1X中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 165W Tc

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1800pF @300VVds

下降时间 6 ns

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK17E65W,S1X
型号: TK17E65W,S1X
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3Pin TO-220
替代型号TK17E65W,S1X
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TK17E65W,S1X

Toshiba 东芝

当前型号

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STP28N65M2

意法半导体

功能相似

TK17E65W,S1X和STP28N65M2的区别

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