TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q概述

8-TSON高级

表面贴装型 N 通道 30 V 40A(Ta) 700mW(Ta),35W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)


得捷:
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 2230pF 40nC 2.5mOhm 85A 35W


DeviceMart:
MOSFET N CH 30V 40A TSON


Win Source:
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV


TPN2R503NC,L1Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2230pF @15VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta, 35W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

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型号: TPN2R503NC,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:8-TSON高级

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