TK20E60W,S1VX参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK20E60W,S1VX概述

Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin TO-220

N-Channel 600V 20A Ta 165W Tc Through Hole TO-220

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220

贸泽:
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

TK20E60W,S1VX中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 165 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1680pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK20E60W,S1VX

型号： TK20E60W,S1VX

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin TO-220