TK22A10N1,S4XS

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TK22A10N1,S4XS概述

MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET N 通道,TK2x 系列,

### MOSFET ,Toshiba


欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK22A10N1,S4XS, 22 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 52A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


TK22A10N1,S4XS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 52A

输入电容Ciss 1800pF @300VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TK22A10N1,S4XS
型号: TK22A10N1,S4XS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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