TPH8R80ANH,L1QM

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TPH8R80ANH,L1QM中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.8 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 7 ns

下降时间 12 ns

封装参数

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: TPH8R80ANH,L1QM
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 8Pin SOP

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