TLV2314IDGKT

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TLV2314IDGKT概述

TEXAS INSTRUMENTS  TLV2314IDGKT  运算放大器, RRIO, 3 MHz, 2个放大器, 1.5 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新

CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-VSSOP


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8VSSOP


立创商城:
TLV2314IDGKT


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 3-MHz, RRIO operational amplifier


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps TLVx314 3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, CMOS Operational Amplifiers 8-VSSOP -40 to 125


e络盟:
运算放大器, RRIO, 2个放大器, 3 MHz, 1.5 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin VSSOP T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin VSSOP T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Power Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin VSSOP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV2314IDGKT  OP-AMP, DUAL, 3MHZ, 1.5V/US, VSSOP-8


TLV2314IDGKT中文资料参数规格
技术参数

供电电流 150 µA

电路数 1

通道数 2

针脚数 8

共模抑制比 72 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K

带宽 3 MHz

转换速率 1.50 V/μs

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 750 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 72 dB

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSSOP-8

外形尺寸

封装 VSSOP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLV2314IDGKT引脚图与封装图
TLV2314IDGKT引脚图
TLV2314IDGKT封装图
TLV2314IDGKT封装焊盘图
在线购买TLV2314IDGKT
型号: TLV2314IDGKT
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TLV2314IDGKT  运算放大器, RRIO, 3 MHz, 2个放大器, 1.5 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, VSSOP, 8 引脚 新
替代型号TLV2314IDGKT
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TLV2314IDGKT和TLV2314IDGKR的区别

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