TK12A60W,S5VXJ参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK12A60W,S5VXJ概述

MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK12A60W,S5VXJ, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

TK12A60W,S5VXJ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 35 W

输入电容Ciss 890pF @300VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 35 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

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型号： TK12A60W,S5VXJ

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba