TK32A12N1,S4XS参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK32A12N1,S4XS概述

MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET N 通道，TK3x 系列，

欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK32A12N1,S4XS, 60 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装

TK32A12N1,S4XS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 60A

输入电容Ciss 2000pF @60VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买TK32A12N1,S4XS

型号： TK32A12N1,S4XS

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba