TK8A60W,S4VXM

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TK8A60W,S4VXM概述

MOSFET N 沟道 DTMOS 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET N 通道,TK8 和 TK9 系列,

### MOSFET ,Toshiba


欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK8A60W,S4VXM, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin TO-220SIS


儒卓力:
**N-CH 600V 8A 500mOhm TO220FP **


TK8A60W,S4VXM中文资料参数规格
技术参数

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 570pF @300VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 30 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TK8A60W,S4VXM引脚图与封装图
TK8A60W,S4VXM引脚图
在线购买TK8A60W,S4VXM
型号: TK8A60W,S4VXM
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N 沟道 DTMOS 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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