TK10A80E,S4XS参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK10A80E,S4XS概述

MOSFET N 通道 π-MOS 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A80E,S4XS, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220SIS封装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin TO-220SIS

TK10A80E,S4XS中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 50 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： TK10A80E,S4XS

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET N 通道 π-MOS 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba