TK17E65W,S1XS参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK17E65W,S1XS概述

MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK17E65W,S1XS, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 17.3A 3-Pin TO-220

TK17E65W,S1XS中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1800pF @300VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 165 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： TK17E65W,S1XS

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba