TLV6002IDR概述
运算放大器 - 运放 MICROPOWER 1MHZ RRIO CMOS DUAL OPAMP
通用 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC
得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
立创商城:
TLV6002IDR
德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 1-MHz, RRIO operational amplifier
贸泽:
运算放大器 - 运放 MICROPOWER 1MHZ RRIO CMOS DUAL OPAMP
艾睿:
Op Amp Dual Precision Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R
Verical:
Op Amp Dual Precision Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R
TLV6002IDR中文资料参数规格
技术参数
供电电流 75 µA
电路数 2
共模抑制比 60 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K
转换速率 500 mV/μs
增益频宽积 1 MHz
输入补偿电压 750 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
3dB带宽 1 MHz
共模抑制比Min 60 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV6002IDR引脚图与封装图 
