TLV2379IDR

TLV2379IDR图片1
TLV2379IDR图片2
TLV2379IDR图片3
TLV2379IDR图片4
TLV2379IDR图片5
TLV2379IDR图片6
TLV2379IDR图片7
TLV2379IDR概述

TEXAS INSTRUMENTS  TLV2379IDR  运算放大器, RRIO, 90 kHz, 2个放大器, 0.03 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, SOIC, 8 引脚 新

通用 放大器 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2379IDR


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 90-kHz, low quiescent current 4-μA, RRIO operational amplifier


e络盟:
运算放大器, RRIO, 2个放大器, 90 kHz, 0.03 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Voltage Amplifier R-R I/O ±2.75V/5.5V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  TLV2379IDR  OP-AMP, 90KHZ, 0.03V/US, SOIC-8 New


TLV2379IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 4 µA

电路数 1

针脚数 8

共模抑制比 85 dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K

带宽 90 kHz

转换速率 30.0 mV/μs

增益频宽积 0.09 MHz

输入补偿电压 2.5 mV

输入偏置电流 0.000005μA @5V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 85 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

TLV2379IDR引脚图与封装图
TLV2379IDR封装图
TLV2379IDR封装焊盘图
在线购买TLV2379IDR
型号: TLV2379IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  TLV2379IDR  运算放大器, RRIO, 90 kHz, 2个放大器, 0.03 V/µs, ± 0.9V至± 2.75V, 1.8V至5.5V, SOIC, 8 引脚 新

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台