TK16J60W,S1VQO参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK16J60W,S1VQO概述

MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK16J60W,S1VQO, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装

艾睿:
TRANSISTOR SILICON

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3-Pin TO-3PN

TK16J60W,S1VQO中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 1350pF @300VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 130 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

长度 15.5 mm

宽度 4.5 mm

高度 20 mm

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买TK16J60W,S1VQO

型号： TK16J60W,S1VQO

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET DTMOS IV 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba