TK100A06N1,S4XS

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TK100A06N1,S4XS概述

MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba

MOSFET ,


欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK100A06N1,S4XS, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 263A 3-Pin TO-220SIS


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine


儒卓力:
**N-CH 60V 263A 2,7mOhm TO220FP **


TK100A06N1,S4XS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 263A

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 10500pF @30VVds

下降时间 64 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 45 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TK100A06N1,S4XS引脚图与封装图
TK100A06N1,S4XS引脚图
TK100A06N1,S4XS封装图
TK100A06N1,S4XS封装焊盘图
在线购买TK100A06N1,S4XS
型号: TK100A06N1,S4XS
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba

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