TLP293GB-TPL,ET

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TLP293GB-TPL,ET中文资料参数规格
技术参数

电路数 1

正向电压 1.25 V

输入电流 50 mA

耗散功率 200 mW

上升时间 0.002 ms

隔离电压 3750Vrms min

正向电压Max 1.4 V

正向电流Max 50 mA

下降时间 0.003 ms

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SO-4

外形尺寸

封装 SO-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

TLP293GB-TPL,ET引脚图与封装图
TLP293GB-TPL,ET引脚图
TLP293GB-TPL,ET封装图
TLP293GB-TPL,ET封装焊盘图
在线购买TLP293GB-TPL,ET
型号: TLP293GB-TPL,ET
制造商: Toshiba 东芝
描述:4-SOIC 单向光耦 Viso=3750Vrms VFtyp=1.25V IF=50mA CTR=100-600%

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