TPCF8201 复合场效应管 20V 3A 1206-8/vs-8 marking/标记 F4A 低漏源导通电阻
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| 3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 49mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 1500mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 530mW/0.53W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOS III Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS ON = 38 mΩ typ. • High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.4 S typ. • Low leakage current: IDSS = 10 μA max VDS = 20 V • Enhancement-mode: Vth = 0.5 to 1.2 V VDS = 10 V, ID = 200 μA 描述与应用| 场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOS III） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RDS（ON）=38mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|= 5.4 S（典型值） •低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=20 V） •增强模式：Vth =0.5〜1.2 V （VDS=10V，ID=200μA）