TPCP8901 NPN+PNP复合三极管 100V/-50V 1A/-800mA 200~500/400~1000 PS-8 标记8901 用于开关/数字电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 100V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 1A/-800mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200~500/400~1000 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| 170mV/-200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 830mW Description & Applications| Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type PCT Process • Small footprint due to small and thin package • High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 IC = −0.1 A :NPN hFE = 400 to 1000 IC = 0.1 A • Low collector-emitter saturation : PNP VCE sat = −0.20 V max : NPN VCE sat = 0.17 V max • High-speed switching : PNP tf = 70 ns typ. : NPN tf = 85 ns typ. • Portable Equipment Applications • Switching Applications 描述与应用| 特点 •晶体管的硅NPN/ PNP外延型（PCT工艺） •由于占地面积小，小而薄的包装 •高直流电流增益：PNP HFE=200〜500（IC= -0.1）：NPN HFE=400至1000（IC=0.1 A） •低集电极 - 发射极饱和：PNP VCE（sat）=-0.20 V（最大值）：NPN VCE（sat）= 0.17 V（最大值） •高速开关：PNP TF=70 ns（典型值）：NPN TF=85 ns（典型值） •便携式设备的应用 •开关应用
