TPCF8302 复合场效应管 -20V -3A 1206-8/vs-8 marking/标记 F5B 低漏源导通电阻
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流IdDrain Current| -3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 59mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -1500mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5~-1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 530mW/0.53W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type U-MOS IV Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Low drain-source ON resistance: RDS ON = 44 mΩ typ. • High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.2 S typ. • Low leakage current: IDSS = −10 μA max VDS = −20 V • Enhancement mode: Vth = −0.5 to −1.2 V VDS = −10 V, ID = −200 μA 描述与应用| 场效应晶体管的硅P沟道MOS型（U-MOS四） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •低漏源导通电阻RDS（ON）= 44mΩ（典型值） •高正向转移导纳：| YFS|=6.2 S（典型值） •低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） •增强模式：VTH =-0.5〜-1.2 V （VDS= -10 V，ID= -200μA）