TPH2R306NH,L1QM

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TPH2R306NH,L1QM中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 9.9 ns

下降时间 16 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS-conform

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: TPH2R306NH,L1QM
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8Pin SOP

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