TK58E06N1,S1XS概述
N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba
MOSFET ，
欧时:
Toshiba U-MOSVIII-H 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1,S1XS, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 105A 3-Pin TO-220
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine
儒卓力:
**N-CH 60V 58A 5,4mOhm TO220-3 **
TK58E06N1,S1XS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 110 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 105A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 3400pF @30VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
TK58E06N1,S1XS引脚图与封装图 
在线购买TK58E06N1,S1XS