TPN2R304PL,L1Q

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TPN2R304PL,L1Q概述

Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8Pin TSON Advance

表面贴装型 N 通道 40 V 80A(Tc) 630mW(Ta),104W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1)


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON


贸泽:
MOSFET 40 Volt N-Channel


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin TSON Advance


TPN2R304PL,L1Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.67 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 3600pF @20VVds

下降时间 12.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 630mW Ta, 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-Advance-8

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 3.1 mm

高度 0.85 mm

封装 TSON-Advance-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175 ℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TPN2R304PL,L1Q
型号: TPN2R304PL,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8Pin TSON Advance

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