TK5Q60W,S1VQS参数规格_中文资料_数据手册PDF

TK5Q60W,S1VQS概述

N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba DTMOSIV 系列 Si N沟道 MOSFET TK5Q60W,S1VQS, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK TO-251封装

艾睿:
TRANSISTOR SILICON

TK5Q60W,S1VQS中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 380pF @300VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 60 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251

外形尺寸

长度 6.65 mm

宽度 2.3 mm

高度 7.12 mm

封装 TO-251

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： TK5Q60W,S1VQS

制造商： Toshiba 东芝

描述：N 通道 MOSFET，TKxxxx，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba