TPN1R603PL,L1Q

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TPN1R603PL,L1Q概述

TPN1R603PL,L1Q 编带

N-Channel 30V 80A Tc 104W Tc Surface Mount 8-TSON Advance 3.3x3.3


立创商城:
N沟道 30V 80A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 188A 8-Pin TSON Advance T/R


TPN1R603PL,L1Q中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.67 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 5.3 ns

输入电容Ciss 3900pF @15VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSON-8

外形尺寸

封装 TSON-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: TPN1R603PL,L1Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:TPN1R603PL,L1Q 编带

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