TP0610K-T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

TP0610K-T1概述

MOSFET P-CH 60V 185mA SOT23

表面贴装型 P 通道 60 V 185mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）

得捷:
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

TP0610K-T1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 23pF @25VVds

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TP0610K-T1

型号： TP0610K-T1

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 60V 185mA SOT23

替代型号TP0610K-T1