TP0610KL-TR1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

TP0610KL-TR1-E3概述

MOSFET, P-Channel, -60V, -185mA, 6Ω, TO-226AA TO-92

通孔 P 通道 270mA（Ta） 800mW（Ta） TO-226AA

得捷:
MOSFET P-CH 60V 270MA TO226AA

TP0610KL-TR1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 6.00 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 800mW Ta

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -270 mA

耗散功率Max 800mW Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TP0610KL-TR1-E3

型号： TP0610KL-TR1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET, P-Channel, -60V, -185mA, 6Ω, TO-226AA TO-92

替代型号TP0610KL-TR1-E3