TBC847B,LM参数规格_中文资料_数据手册PDF

TBC847B,LM概述

TBC847B,LM 编带

- 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 表面贴装型 SOT-23

得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3

立创商城:
NPN 50V 150mA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BJT NPN 0.15A 50V

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23

TBC847B,LM中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 320 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 450 @2mA, 5V

额定功率Max 320 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买TBC847B,LM

型号： TBC847B,LM

描述：TBC847B,LM 编带