TPS1100PWG4

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TPS1100PWG4中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 180 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 504 mW

漏源极电压Vds -15.0 V

漏源击穿电压 15 V

连续漏极电流Ids 1.27A

上升时间 10 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 504 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1.2 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

TPS1100PWG4引脚图与封装图
TPS1100PWG4引脚图
TPS1100PWG4封装图
TPS1100PWG4封装焊盘图
在线购买TPS1100PWG4
型号: TPS1100PWG4
制造商: TI 德州仪器
描述:单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
替代型号TPS1100PWG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

TPS1100PWG4

TI 德州仪器

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当前型号

TPS1100PWRG4

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完全替代

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