THS4502IDRG4

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THS4502IDRG4中文资料参数规格
技术参数

输出电流 100mA @5V

供电电流 23.0 mA

通道数 1

耗散功率 1020 mW

共模抑制比 74 dB

带宽 370 MHz

转换速率 2.80 kV/μs

增益频宽积 300 MHz

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 1020 mW

共模抑制比Min 60dB ~ 75dB

电源电压Max 15 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

THS4502IDRG4引脚图与封装图
THS4502IDRG4引脚图
THS4502IDRG4封装图
THS4502IDRG4封装焊盘图
在线购买THS4502IDRG4
型号: THS4502IDRG4
制造商: TI 德州仪器
描述:High-Speed Fully-Differential Amplifiers 8-SOIC -40℃ to 85℃
替代型号THS4502IDRG4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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TI 德州仪器

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