TLV2761IDG4

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TLV2761IDG4中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 710 mW

共模抑制比 63 dB

输入补偿漂移 9.00 µV/K

带宽 500 kHz

转换速率 200 mV/μs

增益频宽积 500 kHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: TLV2761IDG4
制造商: TI 德州仪器
描述:Single 1.8V, Micro-power, Rail-to-Rail, Single Supply Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃

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