THS4501IDRG4

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THS4501IDRG4中文资料参数规格
技术参数

输出电流 100mA @5V

通道数 1

耗散功率 1020 mW

共模抑制比 74 dB

增益频宽积 300 MHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 1020 mW

共模抑制比Min 60dB ~ 75dB

电源电压Max 15 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

THS4501IDRG4引脚图与封装图
THS4501IDRG4引脚图
THS4501IDRG4封装图
THS4501IDRG4封装焊盘图
在线购买THS4501IDRG4
型号: THS4501IDRG4
制造商: TI 德州仪器
描述:High-Speed Fully Differential Amplifier, +/-5V 8-SOIC -40℃ to 85℃

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