THS4631DRE4参数规格_中文资料_数据手册PDF

THS4631DRE4中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 1100 mW

共模抑制比 86 dB

带宽 210 MHz

转换速率 1.00 kV/μs

增益频宽积 210 MHz

可用通道 S

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 30 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

THS4631DRE4引脚图与封装图

在线购买THS4631DRE4

型号： THS4631DRE4

制造商： TI 德州仪器

描述：High Speed FET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃

替代型号THS4631DRE4