TP0101T

TP0101T图片1
TP0101T中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 650 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 350 mW

栅源击穿电压 ±8.00 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: TP0101T
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 20V 0.6A 0.35W

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