TLP385GR-TPR,E参数规格_中文资料_数据手册PDF

TLP385GR-TPR,E概述

晶体管输出光电耦合器 GaAs Infrared and Photo-Transistor

Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 6-SO, 4 Lead

得捷:
TRANSISTOR OPTOCOUPLER; 4-PIN SO

贸泽:
晶体管输出光电耦合器 GaAs Infrared and Photo-Transistor

TLP385GR-TPR,E中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 2µs, 3µs

通道数 1

正向电压 1.25 V

耗散功率 200 mW

隔离电压 5000 Vrms

正向电流 50 mA

输出电压Max 80 V

下降时间 3 µs

工作温度Max 110 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

封装 SO-6

外形尺寸

封装 SO-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 110℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买TLP385GR-TPR,E

型号： TLP385GR-TPR,E

制造商： Toshiba 东芝

描述：晶体管输出光电耦合器 GaAs Infrared and Photo-Transistor