TLV9062IDR

TLV9062IDR图片1
TLV9062IDR图片2
TLV9062IDR图片3
TLV9062IDR图片4
TLV9062IDR图片5
TLV9062IDR图片6
TLV9062IDR概述

TLV9062IDR 编带

CMOS 放大器 2 电路 满摆幅 8-SOIC


立创商城:
TLV9062IDR


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


德州仪器TI:
Dual, 5.5-V, 10-MHz operational amplifier


艾睿:
Op Amp Dual GP R-R I/O 5.5V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
10-MHZ LOW-NOISE RRIO CMOS OPERATIONA


TLV9062IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 538 µA

电路数 2

增益频宽积 10 MHz

输入补偿电压 300 µV

输入偏置电流 0.0000005μA @5.5V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 57 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买TLV9062IDR
型号: TLV9062IDR
制造商: TI 德州仪器
描述:TLV9062IDR 编带

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台