TSM4NB60CI C0G

TSM4NB60CI C0G图片1
TSM4NB60CI C0G概述

N沟道 600V 4A

通孔 N 通道 600 V 4A(Tc) 50W(Tc) ITO-220AB


欧时:
N-Channel MOSFET 600V 4A ITO-220


立创商城:
N沟道 600V 4A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab ITO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab ITO-220 Tube


Win Source:
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA


TSM4NB60CI C0G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 500pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

引脚数 3

封装 ITO-220

外形尺寸

封装 ITO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买TSM4NB60CI C0G
型号: TSM4NB60CI C0G
描述:N沟道 600V 4A

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