TSM015NA03CR RLG参数规格_中文资料_数据手册PDF

TSM015NA03CR RLG概述

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

表面贴装型 N 通道 30 V 205A（Tc） 104W（Tc） 8-PDFN（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

贸泽:
MOSFET 30V 205A N-Channel Power MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PDFN EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PDFN EP T/R

TSM015NA03CR RLG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.6 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 4243 pF

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PDFN-8

外形尺寸

封装 PDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： TSM015NA03CR RLG

描述：MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN