TK290P65Y,RQ

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TK290P65Y,RQ概述

TK290P65Y,RQ 编带

N-Channel 650V 11.5A Tc 100W Tc Surface Mount DPAK


立创商城:
N沟道 650V 11.5A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK


贸泽:
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A


艾睿:
Silicon N-Channel MOSFETs


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TK290P65Y,RQ中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 730pF @300VVds

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买TK290P65Y,RQ
型号: TK290P65Y,RQ
制造商: Toshiba 东芝
描述:TK290P65Y,RQ 编带

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