TSM170N06PQ56 RLG参数规格_中文资料_数据手册PDF

TSM170N06PQ56 RLG概述

MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

N-Channel 60V 44A Tc 73.5W Tc Surface Mount 8-PDFN 5x6

得捷:
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

贸泽:
MOSFET 60V 44Amp 17mohm N channel Mosfet

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin PDFN EP T/R

TSM170N06PQ56 RLG中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.6 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1556 pF

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 73.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PDFN-8

外形尺寸

封装 PDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： TSM170N06PQ56 RLG

描述：MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN