TLV8542DR

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TLV8542DR概述

运算放大器 - 运放 500 nA RRIO Nanopower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125

General Purpose Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV8542DR


德州仪器TI:
Dual, 3.6-V, 8-kHz, ultra-low quiescent current 500-nA, RRIO operational amplifier


贸泽:
运算放大器 - 运放 500 nA RRIO Nanopower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125


艾睿:
Op Amp Dual Nanopower Amplifier R-R I/O 3.6V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
TLV8542 RRIO Nanopower Operational Amplifier for Cost-Optimized Systems 1.7V to 3.6V 8-Pin SOIC T/R


TLV8542DR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 500 nA

电路数 2

增益频宽积 0.008 MHz

输入补偿电压 3.1 mV

输入偏置电流 0.0000001μA @3.3V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

共模抑制比Min 60 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

TLV8542DR引脚图与封装图
TLV8542DR引脚图
TLV8542DR封装图
TLV8542DR封装焊盘图
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型号: TLV8542DR
制造商: TI 德州仪器
描述:运算放大器 - 运放 500 nA RRIO Nanopower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125

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