US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT图片1
US1M-E3/5AT图片2
US1M-E3/5AT图片3
US1M-E3/5AT图片4
US1M-E3/5AT图片5
US1M-E3/5AT图片6
US1M-E3/5AT图片7
US1M-E3/5AT图片8
US1M-E3/5AT图片9
US1M-E3/5AT图片10
US1M-E3/5AT图片11
US1M-E3/5AT图片12
US1M-E3/5AT图片13
US1M-E3/5AT图片14
US1M-E3/5AT图片15
US1M-E3/5AT图片16
US1M-E3/5AT图片17
US1M-E3/5AT概述

VISHAY  US1M-E3/5AT.  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.7 V, 75 ns, 30 A

The series from Vishay are surface mount Ultra fast rectifier in SMA DO-214AC package. The device features glass passivated chip junction, ultrafast reverse recovery time, low switching losses, high efficiency and high forward surge capability.

.
Automotive grade AEC-Q101 qualified
.
Ideal for automated placement
.
Maximum repetitive reverse voltage Vrrm of 1KV
.
Non repetitive peak forward surge current IFSM of 30A
.
Maximum forward Voltage VF of 1.7V at IF 1A
.
Maximum forward Current IFAV of 1A
.
Operating temperature range -55°C to 150°C
.
Reverse recovery time trr of 75ns
US1M-E3/5AT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @1A

反向恢复时间 75 ns

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 30 A

正向电压Max 1.7 V

正向电流Max 1 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AC-2

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.79 mm

高度 2.09 mm

封装 DO-214AC-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Consumer Electronics, 工业, Industrial, 消费电子产品, 便携式器材, 车用, Power Management, Portable Devices, 电源管理, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买US1M-E3/5AT
型号: US1M-E3/5AT
描述:VISHAY  US1M-E3/5AT.  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 1 A, 1.7 V, 75 ns, 30 A
替代型号US1M-E3/5AT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

US1M-E3/5AT

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

S1M-E3/61T

威世

类似代替

US1M-E3/5AT和S1M-E3/61T的区别

US1M-E3/61T

威世

类似代替

US1M-E3/5AT和US1M-E3/61T的区别

S1M-E3/5AT

威世

类似代替

US1M-E3/5AT和S1M-E3/5AT的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台