UCC27424D

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UCC27424D概述

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27424D  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8

MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。

### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


欧时:
### MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


立创商城:
低边 MOSFET 灌:4A 拉:4A


德州仪器TI:
4-A/4-A dual-channel gate driver with enable and 5-V IN handling


贸泽:
门驱动器 DUAL 4A MOSFET DRIVER


艾睿:
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


安富利:
MOSFET DRVR 4A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Chip1Stop:
Driver 4A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Verical:
Driver 4A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UCC27424D  Dual MOSFET Driver, Low Side, 4V-15V Supply, 4A Out, 35ns Delay, SOIC-8


Win Source:
IC MOSFET DVR DUAL HS 4A 8-SOIC


UCC27424D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.00V min

上升/下降时间 20ns, 15ns

输出接口数 2

输出电压 330 mV

输出电流 4 A

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 650 mW

上升时间 40 ns

输出电压Max 450 mV

下降时间 40 ns

下降时间Max 40 ns

上升时间Max 40 ns

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 650 mW

电源电压 4V ~ 15V

电源电压Max 15 V

电源电压Min 4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 电机驱动与控制, 信号处理, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

UCC27424D引脚图与封装图
UCC27424D引脚图
UCC27424D封装图
UCC27424D封装焊盘图
在线购买UCC27424D
型号: UCC27424D
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  UCC27424D  双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8
替代型号UCC27424D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

UCC27424D

TI 德州仪器

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